| 型号：SI4214DY-T1-GE3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 8.5A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 23.5 毫欧 @ 7A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 23nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 785pF @ 15V |
| 功率_最大 | 3.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳市百域芯科技有限公司 | 雷小姐075582788062 |
| 深圳市恒佳微电子有限公司 | 朱经理、张小姐0755-82533156 82710336 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
| 深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
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径向
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芯片电阻 - 表面安装
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0402（1005 公制）
RES 18.7KOHM 1/16W .25% SMD 0402
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芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0805（2012 公制）
RES 14.3 OHM 1/8W .25% SMD 0805
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功率，高于 2 安
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DC DC Converters
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CONV DC/DC 2W 15VIN +/-05VOUT
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8-TSSOP（0.173＂，4.40mm 宽）
MOSFET DUAL N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
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芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0402（1005 公制）
RES 1.18KOHM 1/16W .25% SMD 0402
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0805（2012 公制）
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芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0402（1005 公制）
RES 1.37KOHM 1/16W .25% SMD 0402
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功率，高于 2 安
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2010（5025 公制）
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芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0805（2012 公制）
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- RT0402CRE0720K5L
芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0402（1005 公制）
RES 20.5KOHM 1/16W .25% SMD 0402
- RT0805CRD0715K8L
芯片电阻 - 表面安装
Yageo
0805（2012 公制）
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